瑞萨电子提供下一代磁阻随机存取存储器 (MRAM)，利用称为垂直磁隧道结 STT（自旋转移扭矩）的专有技术实现具有长数据保留和快速串行的同类最佳非易失性存储器和并行接口。瑞萨的 MRAM 具有广泛的内存密度和高工作温度，适用于从需要快速备份数据检索的工厂自动化设备到具有长期数据存储要求的医疗数据单元的各种应用。

瑞萨 MRAM 产品包括：

高存储密度

SPI 4Mb 至 16Mb

并行 4Mb 至 32Mb

低有效写入和读取电流

具有 SDR 和 DDR 模式的 SPI、DPI、QPI 的可配置接口，并行高达 108MHz

1.71V 至 3.6V（SPI 接口）和 2.7V 至 3.6V（并行接口）的低工作功耗

工作温度从 -40 °C 到 105 °C

关于 MRAM 内存

MRAM 是一种在磁性元件单元内存储数据的存储器。由薄绝缘体隔开的两个铁磁板保持磁化。一块板是设置为特定极性的永磁体。第二块板的磁化强度随着外场的变化而变化。在编程过程中，该字段可以产生低电阻或高电阻状态，分别代表数据存储中的“0”或“1”。