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TPH3208LD 零件图片（仅供参考）

TPH3208LD
Renesas 订单到达，马上发货

TPH3208LD 规格参数

  • 型号:TPH3208LD
  • 品牌:Renesas Design Germany GmbH (Renesas,瑞萨电子)
  • 封装:4-PQFN（8x8）
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:GANFET N-CH 650V 20A 4PQFN
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:GaNFET（氮化镓）
  • 漏源电压（Vdss）:650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 13A，8V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.6V @ 300A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 8 V
  • Vgs（最大值）:±18V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:760 pF @ 400 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:96W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:4-PQFN（8x8）
  • 封装/外壳:4-PowerDFN
  • TPH3208LD，Renesas（瑞萨电子）产品一站式供应商。
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TPH3208LD 基本参数：

  • 电子零件型号：TPH3208LD
  • 原始制造厂商：Renesas（瑞萨电子）
  • 技术标准参数：GANFET N-CH 650V 20A 4PQFN
  • 产品应用分类：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 点击此处查询TPH3208LD的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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