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TP65H150G4LSG 零件图片(仅供参考)

TP65H150G4LSG
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TP65H150G4LSG 规格参数

  • 型号:TP65H150G4LSG
  • 品牌:Renesas Design Germany GmbH (Renesas,瑞萨电子)
  • 封装:3-PQFN(8x8)
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:GAN FET N-CH 650V PQFN
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:GaNFET(氮化镓)
  • 漏源电压(Vdss):650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):180 毫欧 @ 8.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.8V @ 500A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):8 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):598 pF @ 400 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):52W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:3-PQFN(8x8)
  • 封装/外壳:3-PowerTDFN
  • TP65H150G4LSG,Renesas(瑞萨电子)产品一站式供应商。
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TP65H150G4LSG 基本参数:

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