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RJP65T43DPM-00#T1 零件图片（仅供参考）

RJP65T43DPM-00#T1
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RJP65T43DPM-00#T1 规格参数

  • 型号:RJP65T43DPM-00#T1
  • 品牌:Renesas Design Germany GmbH (Renesas,瑞萨电子)
  • 封装:TO-3PFM
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
  • 描述:IGBT TRENCH 650V 40A TO-3PFM
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:南皇电子 停止提供
  • IGBT 类型:沟道
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm):-
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A
  • 功率 - 最大值:68.8 W
  • 开关能量:170J（导通），110J（关断）
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:70 nC
  • 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/107ns
  • 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V
  • 反向恢复时间 (trr):-
  • 工作温度:175°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3 整包
  • 供应商器件封装:TO-3PFM
  • RJP65T43DPM-00#T1，Renesas（瑞萨电子）产品一站式供应商。
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RJP65T43DPM-00#T1 基本参数：

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