RJK60S8DPK-M0#T0（瑞萨，单端场效应管，TO-3PSG）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

Renesas瑞萨完整型号：RJK60S8DPK-M0#T0

制造商：瑞萨电子（Renesas Electronics）

描述：MOSFET N-CH 600V 55A TO3PSG

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：超级结

漏源极电压 (Vdss)：600V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：55A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：56 毫欧 @ 27.5A， 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：82nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：5300pF @ 25V

功率 - 最大值：416.6W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-3PSG

供应商器件封装：TO-3PSG

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基本参数：

电子零件型号：RJK60S8DPK-M0#T0

原始制造厂商：Renesas（瑞萨电子）

技术标准参数：MOSFET N-CH 600V 55A TO3PSG

产品应用分类：单端场效应管

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