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零件图片（仅供参考）
RJH65T14DPQ-A0#T0
规格参数
  • 制造商产品型号：RJH65T14DPQ-A0#T0
  • 制造商：Renesas Electronics America Inc
  • 描述：IGBT TRENCH 650V 100A TO247A
  • 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • IGBT类型：沟道
  • 电压-集射极击穿（最大值）：650V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：100A
  • 电流-集电极脉冲(Icm)：-
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.75V @ 15V，50A
  • 功率-最大值：250W
  • 开关能量：1.3mJ（开），1.2mJ（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：80nC
  • 25°C时Td（开/关）值：38ns/125ns
  • 测试条件：400V，50A，10 欧姆，15V
  • 反向恢复时间(trr)：250ns
  • 工作温度：175°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 封装：TO-247-3
  • RJH65T14DPQ-A0#T0，Renesas（瑞萨电子）产品一站式供应商。
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    基本参数：
  • 电子零件型号：RJH65T14DPQ-A0#T0
  • 原始制造厂商：Renesas（瑞萨电子）
  • 技术标准参数：IGBT TRENCH 650V 100A TO247A
  • 产品应用分类：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 点击此处查询RJH65T14DPQ-A0#T0的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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