NP88N03KUG-E1-AY（瑞萨，单端场效应管，TO-263）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

Renesas瑞萨完整型号：NP88N03KUG-E1-AY

制造厂家名称：Renesas Electronics America

描述：MOSFET N-CH 30V 88A TO-263

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：88A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：2.4 毫欧 @ 44A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：250nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：14400pF @ 25V

功率 - 最大值：1.8W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB

供应商器件封装：TO-263

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基本参数：

电子零件型号：NP88N03KUG-E1-AY

原始制造厂商：Renesas（瑞萨电子）

技术标准参数：MOSFET N-CH 30V 88A TO-263

产品应用分类：单端场效应管

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