NP80N04NHE-S18-AY（瑞萨，单端场效应管，TO-262）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

Renesas瑞萨完整型号：NP80N04NHE-S18-AY

制造商：瑞萨电子（Renesas Electronics）

描述：MOSFET N-CH 40V 80A TO-262

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：40V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：80A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：8 毫欧 @ 40A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：60nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3300pF @ 25V

功率 - 最大值：1.8W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-262-3，长引线，IPak，TO-262AA

供应商器件封装：TO-262

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基本参数：

电子零件型号：NP80N04NHE-S18-AY

原始制造厂商：Renesas（瑞萨电子）

技术标准参数：MOSFET N-CH 40V 80A TO-262

产品应用分类：单端场效应管

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