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HZM2.0NBTR-E 零件图片（仅供参考）

HZM2.0NBTR-E
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HZM2.0NBTR-E 规格参数

  • 型号:HZM2.0NBTR-E
  • 品牌:Renesas Design Germany GmbH (Renesas,瑞萨电子)
  • 封装:3-MPAK
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 描述:DIODE ZENER
  • 包装:散装
  • 产品状态:在售
  • 电压 - 齐纳（标称值）(Vz):2 V
  • 容差:-
  • 功率 - 最大值:200 mW
  • 阻抗（最大值）(Zzt):100 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:120 A @ 0.5 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):-
  • 工作温度:150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商器件封装:3-MPAK
  • HZM2.0NBTR-E，Renesas（瑞萨电子）产品一站式供应商。
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HZM2.0NBTR-E 基本参数：

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