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AR1L3N-AZ 零件图片（仅供参考）

AR1L3N-AZ
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AR1L3N-AZ 规格参数

  • 型号:AR1L3N-AZ
  • 品牌:Renesas Design Germany GmbH (Renesas,瑞萨电子)
  • 封装:TO-92
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单，预偏置双极晶体管
  • 描述:SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:在售
  • 晶体管类型:PNP - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:1 A
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）:60 V
  • 包含电阻器:R1 和 R2
  • 电阻器 - 基极 (R1):4.7 kOhms
  • 电阻器 - 发射极 (R2):10 kOhms
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:150 @ 100mA，2V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:-
  • 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）
  • 频率 - 跃迁:-
  • 功率 - 最大值:750 mW
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
  • 供应商器件封装:TO-92
  • AR1L3N-AZ，Renesas（瑞萨电子）产品一站式供应商。
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AR1L3N-AZ 基本参数：

  • 电子零件型号：AR1L3N-AZ
  • 原始制造厂商：Renesas（瑞萨电子）
  • 技术标准参数：SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
  • 产品应用分类：分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单，预偏置双极晶体管
  • 点击此处查询AR1L3N-AZ的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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