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规格参数
制造商产品型号：2SJ649-AZ制造商：瑞萨电子（Renesas Electronics）描述：MOSFET P-CH 60V 20A TO220系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：有源FET类型：P 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：60V25°C时电流-连续漏极(Id)：20A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：48 毫欧 @ 10A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：-不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：38nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1900pF @ 10VFET功能：-功率耗散（最大值）：2W（Ta），25W（Tc）工作温度：150°C（TJ）安装类型：通孔器件封装：TO-220 隔离的标片2SJ649-AZ，Renesas（瑞萨电子）产品一站式供应商。
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